• 一括加熱できない材質を含む部品のはんだ付け
  （フロー、リフローなどではんだ付け出来ない部品）
• 鉛フリー実装の高温リフローに対応していない部品のはんだ付け
• 奥まった場所や立体部へのはんだ付け 　　

　■研究開発

• 加熱が出来ない基板へのポイント加熱はんだ付け
• 高密度、狭ピッチの回路部品、微小センサー等のはんだ付け

• 長い焦点距離(WD)
  離れたい位置からレーザー照射により観察系やマウンターなどシステムの追加が容易です。
  
• 鋭いレーザ照射角度(低NA)
  NA０．１２（全角度１４度以下）なので狭ピッチ、立体微細部品、狭い間隔の熱影響対策に有効です。
  
• 小さいビームスポット
  １００ミクロン以下のビームスポットにより微細部品のはんだ付けに最適です。
  
• 部品に合わせたスポット形状
  通常ビーム形状は丸形状ですが四角、長方形、分割等のビーム形状が可能です。
  
• 温度制御機能
  レーザの加熱温度を制御することにより、様々な加工条件を安定させることができます。
  

• 任意加熱プロファイル（波形）をグラフィックで確認可能
• 最大出力３０W
• 同軸のCCD観察光学系によりリアルタイムで位置決め監視可能
• 外部のホストコンピュターにより複雑な制御が可能

発信器 半導体レーザー レーザー出力 ３５W 波長 ８０８nm スポット径 ０.０３〜０.８ ワーキングディスタンス 〜９１mm 集光角度 １４度

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